Προϊόντα
Λήξη με μόλυβδο
Λήξη με μόλυβδο
Λήξη με μόλυβδο
Κύρια τεχνικά χαρακτηριστικά:
Ονομαστική ισχύς: 5-800W;
Υλικά υποστρώματος: BeO, AlN, Al2O3
Ονομαστική τιμή αντίστασης: 50Ω
Ανοχή αντίστασης: ±5%, ±2%, ±1%
συντελεστής θερμοκρασίας: <150ppm/℃
Θερμοκρασία λειτουργίας: -55~+150℃
Πρότυπο ROHS: Συμβατό με
Εφαρμοστέο πρότυπο: Q/RFTYTR001-2022
Μήκος καλωδίου: L όπως καθορίζεται στο φύλλο δεδομένων
(μπορεί να προσαρμοστεί σύμφωνα με τις απαιτήσεις του πελάτη)
| Εξουσία(Δ) | Συχνότητα | Διαστάσεις (μονάδα: mm) | ΥπόστρωμαΥλικό | Φύλλο δεδομένων (PDF) | |||||
| A | B | H | G | W | L | ||||
| 5W | 6GHz | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | Al2O3 | RFT50A-05TM0404 |
| 11GHz | 1.27 | 2,54 | 0,5 | 1.0 | 0,8 | 3.0 | AlN | RFT50N-05TJ1225 | |
| 10W | 4GHz | 2.5 | 5.0 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 4.0 | ΜπεΟ | RFT50-10TM2550 |
| 6GHz | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | Al2O3 | RFT50A-10TM0404 | |
| 8GHz | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | ΜπεΟ | RFT50-10TM0404 | |
| 10GHz | 5.0 | 3.5 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 3.0 | ΜπεΟ | RFT50-10TM5035 | |
| 18GHz | 5.0 | 2.5 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 3.0 | ΜπεΟ | RFT50-10TM5023 | |
| 20W | 4GHz | 2.5 | 5.0 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 4.0 | ΜπεΟ | RFT50-20TM2550 |
| 6GHz | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | Al2O3 | RFT50N-20TJ0404 | |
| 8GHz | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | ΜπεΟ | RFT50-20TM0404 | |
| 10GHz | 5.0 | 3.5 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 3.0 | ΜπεΟ | RFT50-20TM5035 | |
| 18GHz | 5.0 | 2.5 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 3.0 | ΜπεΟ | RFT50-20TM5023 | |
| 30W | 6GHz | 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | AlN | RFT50N-30TJ0606 |
| 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | ΜπεΟ | RFT50-30TM0606 | ||
| 60W | 6GHz | 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | AlN | RFT50N-60TJ0606 |
| 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | ΜπεΟ | RFT50-60TM0606 | ||
| 6.35 | 6.35 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | ΜπεΟ | RFT50-60TJ6363 | ||
| 100W | 3GHz | 6.35 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | AlN | RFT50N-100TJ6395 |
| 8.9 | 5.7 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 5.0 | AlN | RFT50N-100TJ8957 | ||
| 9.5 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | ΜπεΟ | RFT50-100TJ9595 | ||
| 4GHz | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | ΜπεΟ | RFT50-100TJ1010 | |
| 6GHz | 6.35 | 6.35 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | ΜπεΟ | RFT50-100TJ6363 | |
| 8.9 | 5.7 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 5.0 | AlN | RFT50N-100TJ8957B | ||
| 8GHz | 9.0 | 6.0 | 1.5 | 2.0 | 1.0 | 5.0 | ΜπεΟ | RFT50-100TJ0906C | |
| 150W | 3GHz | 6.35 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | AlN | RFT50N-150TJ6395 |
| 9.5 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | ΜπεΟ | RFT50-150TJ9595 | ||
| 4GHz | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | ΜπεΟ | RFT50-150TJ1010 | |
| 6GHz | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | ΜπεΟ | RFT50-150TJ1010B | |
| 200W | 3GHz | 9.5 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | ΜπεΟ | RFT50-200TJ9595 |
| 4GHz | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | ΜπεΟ | RFT50-200TJ1010 | |
| 10GHz | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | ΜπεΟ | RFT50-200TM1313B | |
| 250W | 3GHz | 12.0 | 10.0 | 1.5 | 2.5 | 1.4 | 5.0 | ΜπεΟ | RFT50-250TM1210 |
| 10GHz | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | ΜπεΟ | RFT50-250TM1313B | |
| 300W | 3GHz | 12.0 | 10.0 | 1.5 | 2.5 | 1.4 | 5.0 | ΜπεΟ | RFT50-300TM1210 |
| 10GHz | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | ΜπεΟ | RFT50-300TM1313B | |
| 400W | 2GHz | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | ΜπεΟ | RFT50-400TM1313 |
| 500W | 2GHz | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | ΜπεΟ | RFT50-500TM1313 |
| 800W | 1GHz | 25.4 | 25.4 | 3.2 | 4 | 6 | 7 | ΜπεΟ | RFT50-800TM2525 |
Επισκόπηση
Η μόνωση με μόλυβδο γίνεται επιλέγοντας το κατάλληλο μέγεθος και τα υλικά υποστρώματος με βάση τις διαφορετικές απαιτήσεις συχνότητας και ισχύος, μέσω αντίστασης, εκτύπωσης κυκλώματος και πυροσυσσωμάτωσης. Τα συνήθως χρησιμοποιούμενα υλικά υποστρώματος μπορεί να είναι κυρίως οξείδιο του βηρυλλίου, νιτρίδιο του αργιλίου, οξείδιο του αργιλίου ή καλύτερα υλικά απαγωγής θερμότητας.
Η διαδικασία τερματισμού με μόλυβδο, χωρίζεται σε διαδικασία λεπτής μεμβράνης και διαδικασία παχιάς μεμβράνης. Σχεδιάζεται με βάση συγκεκριμένες απαιτήσεις ισχύος και συχνότητας και στη συνέχεια υποβάλλεται σε επεξεργασία. Εάν έχετε ειδικές ανάγκες, επικοινωνήστε με το προσωπικό πωλήσεών μας για να παρέχετε συγκεκριμένες λύσεις για προσαρμογή.
