προϊόντα

Προϊόντα

Τερματισμός με επικεφαλής

Ο τερματισμός του μολύβδου είναι μια αντίσταση που είναι εγκατεστημένη στο τέλος ενός κυκλώματος, το οποίο απορροφά τα σήματα που μεταδίδονται στο κύκλωμα και εμποδίζει την αντανάκλαση του σήματος, επηρεάζοντας έτσι την ποιότητα μετάδοσης του συστήματος κυκλώματος. Οι τερματισμοί είναι επίσης γνωστοί ως αντιστάσεις τερματικού μολύβδου SMD. Εγκαθίσταται στο τέλος του κυκλώματος με συγκόλληση. Ο κύριος σκοπός είναι να απορροφηθούν τα κύματα σήματος που μεταδίδονται στο τέλος του κυκλώματος, να εμποδίσουν την αντανάκλαση του σήματος να επηρεάσει το κύκλωμα και να εξασφαλίσει την ποιότητα μετάδοσης του συστήματος κυκλώματος.


  • Κύριες τεχνικές προδιαγραφές:
  • Ονομαστική ισχύς:5-800W
  • Υλικά υποστρώματος:Beo 、 aln 、 al2o3
  • Ονομαστική τιμή αντίστασης:50Ω
  • Ανοχή αντίστασης:± 5%、 ± 2%、 ± 1%
  • Συντελεστής αυτοκράτορα:< 150ppm/℃
  • Θερμοκρασία λειτουργίας:-55 ~+150 ℃
  • Πρότυπο ROHS:Συμμορφώνεται με
  • Μήκος μολύβδου:L όπως καθορίζεται στο φύλλο δεδομένων
  • Προσαρμοσμένος σχεδιασμός διαθέσιμος κατόπιν αιτήματος:
  • Λεπτομέρειες προϊόντων

    Ετικέτες προϊόντων

    Τερματισμός με επικεφαλής

    Τερματισμός με επικεφαλής
    Κύριες τεχνικές προδιαγραφές:
    Ονομαστική ισχύς: 5-800W ;
    Υλικά υποστρώματος: BEO 、 aln 、 al2O3
    Ονομαστική τιμή αντίστασης: 50Ω
    Ανοχή αντίστασης: ± 5%、 ± 2%、 ± 1%
    συντελεστής αυτοκράτορα: < 150ppm/℃
    Θερμοκρασία λειτουργίας: -55 ~+150 ℃
    Πρότυπο ROHS: Συμβατό με
    Ισχύον πρότυπο: q/rftytr001-2022
    Μήκος μολύβδου: l Όπως καθορίζεται στο φύλλο δεδομένων
    (μπορεί να προσαρμοστεί σύμφωνα με τις απαιτήσεις των πελατών)

    Βαθμολογία1
    Εξουσία(W) Συχνότητα Διαστάσεις (Μονάδα: mm) ΥπόστρωμαΥλικό Φύλλο δεδομένων (PDF)
    A B H G W L
    5W 6GHz 4.0 4.0 1.0 1.6 1.0 3.0 Al2O3     RFT50A-05TM0404
    11GHz 1.27 2.54 0,5 1.0 0,8 3.0 Αλάν     RFT50N-05TJ1225
    10W 4GHz 2.5 5.0 1.0 1.9 1.0 4.0 Μάστιγα     RFT50-10TM2550
    6GHz 4.0 4.0 1.0 1.6 1.0 3.0 Al2O3      RFT50A-10TM0404
    8GHz 4.0 4.0 1.0 1.6 1.0 3.0 Μάστιγα     RFT50-10TM0404
    10GHz 5.0 3.5 1.0 1.9 1.0 3.0 Μάστιγα     RFT50-10TM5035
    18GHz 5.0 2.5 1.0 1.8 1.0 3.0 Μάστιγα     RFT50-10TM5023
    20W 4GHz 2.5 5.0 1.0 1.9 1.0 4.0 Μάστιγα     RFT50-20TM2550
    6GHz 4.0 4.0 1.0 1.6 1.0 3.0 Al2O3      RFT50N-20TJ0404
    8GHz 4.0 4.0 1.0 1.6 1.0 3.0 Μάστιγα     RFT50-20TM0404
    10GHz 5.0 3.5 1.0 1.9 1.0 3.0 Μάστιγα     RFT50-20TM5035
    18GHz 5.0 2.5 1.0 1.8 1.0 3.0 Μάστιγα     RFT50-20TM5023
    30W 6GHz 6.0 6.0 1.0 1.8 1.0 5.0 Αλάν     RFT50N-30TJ0606
    6.0 6.0 1.0 1.8 1.0 5.0 Μάστιγα     RFT50-30TM0606
    60W 6GHz 6.0 6.0 1.0 1.8 1.0 5.0 Αλάν     RFT50N-60TJ0606
    6.0 6.0 1.0 1.8 1.0 5.0 Μάστιγα     RFT50-60TM0606
    6.35 6.35 1.0 1.8 1.0 5.0 Μάστιγα     RFT50-60TJ6363
    100W 3GHz 6.35 9.5 1.0 1.6 1.4 5.0 Αλάν     RFT50N-100TJ6395
    8.9 5.7 1.0 1.6 1.0 5.0 Αλάν     RFT50N-100TJ8957
    9.5 9.5 1.0 1.6 1.4 5.0 Μάστιγα     RFT50-100TJ9595
    4GHz 10.0 10.0 1.0 1.8 1.4 5.0 Μάστιγα     RFT50-100TJ1010
    6GHz 6.35 6.35 1.0 1.8 1.0 5.0 Μάστιγα     RFT50-100TJ6363
    8.9 5.7 1.0 1.6 1.0 5.0 Αλάν     RFT50N-100TJ8957B
         
    8GHz 9.0 6.0 1.5 2.0 1.0 5.0 Μάστιγα     RFT50-100TJ0906C
    150W 3GHz 6.35 9.5 1.0 1.6 1.4 5.0 Αλάν     RFT50N-150TJ6395
    9.5 9.5 1.0 1.6 1.4 5.0 Μάστιγα     RFT50-150TJ9595
    4GHz 10.0 10.0 1.0 1.8 1.4 5.0 Μάστιγα     RFT50-150TJ1010
    6GHz 10.0 10.0 1.0 1.8 1.4 5.0 Μάστιγα     RFT50-150TJ1010B
    200W 3GHz 9.5 9.5 1.0 1.6 1.4 5.0 Μάστιγα     RFT50-200TJ9595
     
    4GHz 10.0 10.0 1.0 1.8 1.4 5.0 Μάστιγα     RFT50-200TJ1010
    10GHz 12.7 12.7 2.0 3.5 2.4 5.0 Μάστιγα     RFT50-200TM1313B
    250W 3GHz 12.0 10.0 1.5 2.5 1.4 5.0 Μάστιγα     RFT50-250TM1210
    10GHz 12.7 12.7 2.0 3.5 2.4 5.0 Μάστιγα     RFT50-250TM1313B
    300W 3GHz 12.0 10.0 1.5 2.5 1.4 5.0 Μάστιγα     RFT50-300TM1210
    10GHz 12.7 12.7 2.0 3.5 2.4 5.0 Μάστιγα     RFT50-300TM1313B
    400W 2GHz 12.7 12.7 2.0 3.5 2.4 5.0 Μάστιγα     RFT50-400TM1313
    500W 2GHz 12.7 12.7 2.0 3.5 2.4 5.0 Μάστιγα     RFT50-500TM1313
    800W 1GHz 25.4 25.4 3.2 4 6 7 Μάστιγα     RFT50-800TM2525

    Επισκόπηση

    Ο τερματισμός του μολύβδου γίνεται με την επιλογή του κατάλληλου μεγέθους υποστρώματος και υλικών που βασίζονται σε διαφορετικές απαιτήσεις συχνότητας και απαιτήσεις ισχύος, μέσω αντίστασης, εκτύπωσης κυκλωμάτων και πυροσυσσωμάτωσης. Τα συνήθως χρησιμοποιούμενα υλικά υποστρώματος μπορούν κυρίως να είναι οξείδιο βηρυλλίου, νιτρίδιο αλουμινίου, οξείδιο του αργιλίου ή καλύτερα υλικά διάχυσης θερμότητας.

    Ο τερματισμός του μολύβδου, χωρίζεται σε διαδικασία λεπτού φιλμ και διαδικασία παχιάς μεμβράνης. Έχει σχεδιαστεί με βάση συγκεκριμένες απαιτήσεις ισχύος και συχνότητας και στη συνέχεια επεξεργάζεται μέσω της διαδικασίας. Εάν έχετε ειδικές ανάγκες, επικοινωνήστε με το προσωπικό πωλήσεών μας για να παρέχετε συγκεκριμένες λύσεις για προσαρμογή.


  • Προηγούμενος:
  • Επόμενος: